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IPW65R095C7XKSA1  与  FCH072N60F  区别

型号 IPW65R095C7XKSA1 FCH072N60F
唯样编号 A-IPW65R095C7XKSA1 A-FCH072N60F
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 24A TO247 Single N-Channel 600 V 481 W 215 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 128W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 72m Ohms@26A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 481W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2140pF @ 400V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 590uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 52A
系列 - FRFET®,SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 8660pF @ 100V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 95 毫欧 @ 11.8A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 215nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 24A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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