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IPW65R080CFD  与  SIHG47N65E-GE3  区别

型号 IPW65R080CFD SIHG47N65E-GE3
唯样编号 A-IPW65R080CFD A3t-SIHG47N65E-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55°C~150°C -
连续漏极电流Id 43.3A 47A
Rds On(Max)@Id,Vgs 80mΩ@17.6A,10V 72mΩ
漏源极电压Vds 700V -
Pd-功率耗散(Max) 391W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R080CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3 N-Channel 391W 80mΩ@17.6A,10V -55°C~150°C ±20V 700V 43.3A

暂无价格 0 当前型号
SIHG47N65E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ

暂无价格 0 对比
SIHG47N65E-GE3 Vishay  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ

暂无价格 0 对比

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