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IPW65R080CFDFKSA2  与  IPW65R080CFD  区别

型号 IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFD
唯样编号 A-IPW65R080CFDFKSA2 A-IPW65R080CFD
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 391W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 80mΩ@17.6A,10V
漏源极电压Vds - 700V
Pd-功率耗散(Max) - 391W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5030pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.8mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 167nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C
连续漏极电流Id - 43.3A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 17.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 43.3A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R080CFDFKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPW65R080CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R080CFDFKSA1_TO-247-3 N-Channel 391W 80mΩ@17.6A,10V -55°C ~ 150°C ±20V 700V 43.3A

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