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IPW65R080CFDAFKSA1  与  SCT3060ALGC11  区别

型号 IPW65R080CFDAFKSA1 SCT3060ALGC11
唯样编号 A-IPW65R080CFDAFKSA1 A33-SCT3060ALGC11-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SiC MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 391W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ
上升时间 - 37ns
Qg-栅极电荷 - 58nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4440pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 5.6V
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 161nC @ 10V -
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 39A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 17.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 18V
下降时间 - 21ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 165W
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.76mA -
系列 - SCT3x
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 6.67mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 852pF @ 500V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 18V
25°C时电流-连续漏极(Id) 43.3A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
典型接通延迟时间 - 19ns
库存与单价
库存 0 6
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
2+ :  ¥119.5117
5+ :  ¥74.1391
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R080CFDAFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R080CFDA_N 通道 TO-247-3 -40°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STW40N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 1,770 对比
R6047ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±20V 120W(Tc) 72mΩ@25.8A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 47A

暂无价格 470 对比
R6047KNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-247

¥102.2251 

阶梯数 价格
2: ¥102.2251
5: ¥56.862
10: ¥51.1892
10 对比
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥119.5117 

阶梯数 价格
2: ¥119.5117
5: ¥74.1391
6 对比
R6046FNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TO-247

¥64.48 

阶梯数 价格
3: ¥64.48
3 对比

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