IPW65R065C7 与 SIHG47N65E-GE3 区别
| 型号 | IPW65R065C7 | SIHG47N65E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPW65R065C7 | A-SIHG47N65E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.21mm | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ | 72mΩ |
| 上升时间 | 14ns | - |
| 漏源极电压Vds | 650V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 171W | - |
| Qg-栅极电荷 | 64nC | - |
| 栅极电压Vgs | 10V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 72ns | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | TO-247-3 |
| 连续漏极电流Id | 33A | 47A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 系列 | CoolMOSC7 | - |
| 长度 | 16.13mm | - |
| 下降时间 | 7ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 17ns | - |
| 高度 | 21.1mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPW65R065C7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
650V 33A 65mΩ 10V 171W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHG47N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG47N65E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-247-3 N-Channel 47A 72mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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