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IPW65R045C7FKSA1  与  TK62N60W,S1VF  区别

型号 IPW65R045C7FKSA1 TK62N60W,S1VF
唯样编号 A-IPW65R045C7FKSA1 A-TK62N60W,S1VF
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 227W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 400W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 40 毫欧 @ 30.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 400V 6500 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 3.1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 180 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 1.25mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 93nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 61.8A(Ta)
FET功能 - 超级结
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 24.9A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 46A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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