IPW65R041CFD 与 SIHG61N65EF-GE3 区别
| 型号 | IPW65R041CFD | SIHG61N65EF-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPW65R041CFD | A-SIHG61N65EF-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 41mΩ@33.1A,10V | 47mΩ@30.5A,10V |
| 漏源极电压Vds | 700V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 500W(Tc) | 520W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 68.5A | 64A(Tc) |
| 系列 | CoolMOS™ | E |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 3.3mA | 4V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 8400pF @ 100V | 7407pF @ 100V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 300nC @ 10V | 371nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 20 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPW65R041CFD | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 500W(Tc) 41mΩ@33.1A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247 N-Channel 700V 68.5A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
SIHG61N65EF-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 650V 64A(Tc) ±30V 520W(Tc) 47mΩ@30.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 |
暂无价格 | 20 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
