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IPW65R037C6FKSA1  与  FCH041N60E  区别

型号 IPW65R037C6FKSA1 FCH041N60E
唯样编号 A-IPW65R037C6FKSA1 A-FCH041N60E
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 500W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 41m Ohms@39A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 592W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7240pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 3.3mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 330nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 77A
系列 - SuperFET® II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 13700pF @ 100V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 37 毫欧 @ 33.1A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 380nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 83.2A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW65R037C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R037C6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STW70N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 23,640 对比
STW70N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
FCH041N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

77A(Tc) ±20V 592W(Tc) 41m Ohms@39A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 77A

暂无价格 0 对比
TK62N60X,S1F Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 400W(Tc) TO-247 150°C(TJ) 600 V 61.8A(Ta)

暂无价格 0 对比
STW70N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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