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IPW60R190C6FKSA1  与  R6020KNZ1C9  区别

型号 IPW60R190C6FKSA1 R6020KNZ1C9
唯样编号 A-IPW60R190C6FKSA1 A33-R6020KNZ1C9
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 151W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 196mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 231W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 9.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.2A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1550pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 30
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
9+ :  ¥17.0759
10+ :  ¥16.6063
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R190C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R190C6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

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R6020KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥17.0759 

阶梯数 价格
9: ¥17.0759
10: ¥16.6063
30 对比

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