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IPW60R125P6XKSA1  与  SCT3080ALGC11  区别

型号 IPW60R125P6XKSA1 SCT3080ALGC11
唯样编号 A-IPW60R125P6XKSA1 A-SCT3080ALGC11
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET SiC MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 SCT3080AL Series 650 V 30 A 104 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 219W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 104mΩ@10A,18V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 134W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2660pF @ 100V -
栅极电压Vgs - +22V,-4V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247N
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 960uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 30A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 5mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 571pF @ 500V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 11.6A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 48nC @ 18V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 18V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R125P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
STW45N60DM6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
IPP60R125P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125P6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP60R125P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R125P6XKSA1_600V 30A 113mΩ 20V 219W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
R6035ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 35A(Tc) ±20V 120W(Tc) 102mΩ@18.1A,10V 150°C(TJ) TO-247-3

暂无价格 0 对比

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