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IPW60R125P6XKSA1  与  R6035ENZ1C9  区别

型号 IPW60R125P6XKSA1 R6035ENZ1C9
唯样编号 A-IPW60R125P6XKSA1 A-R6035ENZ1C9
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 219W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 102mΩ@18.1A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 120W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2660pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 960uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 35A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 11.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2720pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R125P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥105.3873 

阶梯数 价格
2: ¥105.3873
10: ¥60.0146
50: ¥54.3418
100: ¥50.5664
450 对比
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥105.3873 

阶梯数 价格
2: ¥105.3873
10: ¥60.0146
50: ¥54.3418
100: ¥50.5664
216 对比
SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比
STW45N60DM6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STW45N60DM6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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