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IPW60R125C6FKSA1  与  STW26NM60N  区别

型号 IPW60R125C6FKSA1 STW26NM60N
唯样编号 A-IPW60R125C6FKSA1 A3-STW26NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3 Single N-Channel 600 V 140 W 60 nC MDmesh Through Hole Mosfet - TO-247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 219W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2127pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 960uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 96nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 14.5A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 6,270
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R125C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R125C6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

暂无价格 6,270 对比
STW34NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 660 对比
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 20A

¥7.227 

阶梯数 价格
7: ¥7.227
10: ¥5.555
587 对比
R6030KNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247 N-Channel 305W 130mΩ@14.5A,10V -55°C~150°C ±20V 600V 30A

暂无价格 480 对比
R6042JNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) N 通道 TO-247G

¥96.4182 

阶梯数 价格
2: ¥96.4182
10: ¥51.0551
50: ¥45.3823
100: ¥41.5972
475 对比

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