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IPW60R099P6XKSA1  与  IPP60R099P6  区别

型号 IPW60R099P6XKSA1 IPP60R099P6
唯样编号 A-IPW60R099P6XKSA1 A-IPP60R099P6
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 278W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 89mΩ
上升时间 - 10ns
Qg-栅极电荷 - 70nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3330pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-247-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 37.9A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 99 毫欧 @ 14.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 5ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 278W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1.21mA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSP6
25°C时电流-连续漏极(Id) 37.9A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 20ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R099P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R099P6_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPP60R099P6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
IPP60R099P6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R099P6XKSA1_600V 37.9A 89mΩ 20V 278W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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