IPW60R099C6 与 SIHG33N60E-GE3 区别
| 型号 | IPW60R099C6 | SIHG33N60E-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPW60R099C6 | A3t-SIHG33N60E-GE3 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.21mm | 5.31mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ | 98mΩ |
| 上升时间 | 12ns | 43ns |
| Qg-栅极电荷 | 119nC | 103nC |
| 栅极电压Vgs | 20V | 4V |
| 封装/外壳 | - | TO-247-3 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 37.9A | 33A |
| 配置 | Single | Single |
| 长度 | 16.13mm | 15.87mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | 10V |
| 下降时间 | 6ns | 48ns |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2660pF @ 100V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 1.21mA | - |
| 高度 | 21.1mm | 20.82mm |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | 278W | 278W |
| 典型关闭延迟时间 | 75ns | 161ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 通道数量 | 1Channel | 1Channel |
| 系列 | CoolMOSC6 | E |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 3508pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 150nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | 15ns | 28ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 119nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IPW60R099C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 37.9A 90mΩ 20V 278W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 50 | 对比 |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SIHG33N60E-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TO-247-3 33A 278W 98mΩ 600V 4V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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