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IPW60R080P7XKSA1  与  SCT3060ALGC11  区别

型号 IPW60R080P7XKSA1 SCT3060ALGC11
唯样编号 A-IPW60R080P7XKSA1 A-SCT3060ALGC11
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 129W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60mΩ
上升时间 - 37ns
Qg-栅极电荷 - 58nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 400V -
栅极电压Vgs - 5.6V
封装/外壳 TO-247-3 TO-247-3
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 39A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 11.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 18V
下降时间 - 21ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 165W
典型关闭延迟时间 - 34ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 590uA -
系列 - SCT3x
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5.6V @ 6.67mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 852pF @ 500V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 18V
25°C时电流-连续漏极(Id) 37A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 600V -
典型接通延迟时间 - 19ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
450+ :  ¥51.5009
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R080P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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