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IPW60R080P7XKSA1  与  R6046FNZ1C9  区别

型号 IPW60R080P7XKSA1 R6046FNZ1C9
唯样编号 A-IPW60R080P7XKSA1 A-R6046FNZ1C9
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 46A TO247
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 129W(Tc) 120W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2180pF @ 400V 6230pF @ 25V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 590uA 5V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 80 毫欧 @ 11.8A,10V 98 毫欧 @ 23A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±30V
25°C时电流-连续漏极(Id) 37A(Tc) 46A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 150nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R080P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R080P7_TO-247-3

暂无价格 0 当前型号
STW48N60DM2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

¥18.084 

阶梯数 价格
3: ¥18.084
10: ¥15.587
600: ¥14.85
7,035 对比
R6047ENZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247

暂无价格 450 对比
R6046FNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247

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阶梯数 价格
3: ¥64.48
3 对比
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

¥51.5009 

阶梯数 价格
450: ¥51.5009
0 对比
R6046FNZ1C9 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247

暂无价格 0 对比

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