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IPW60R045CPFKSA1  与  IPW65R070C6  区别

型号 IPW60R045CPFKSA1 IPW65R070C6
唯样编号 A-IPW60R045CPFKSA1 A-IPW65R070C6
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 431W(Tc) -
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 63mΩ
上升时间 - 17ns
Qg-栅极电荷 - 170nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6800pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-247-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 53.5A
配置 - Single
长度 - 16.13mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 45 毫欧 @ 44A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
下降时间 - 6ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3900pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 1.76mA
高度 - 21.1mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 391W
典型关闭延迟时间 - 90ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 3mA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSC6
25°C时电流-连续漏极(Id) 60A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW60R045CPFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R045CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
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TO-247-3

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STW70N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

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IPW65R070C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R070C6FKSA1_-55°C~150°C(TJ) 650V 53.5A 63mΩ 20V 391W N-Channel

暂无价格 0 对比
STW48NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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