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IPW50R250CPFKSA1  与  AOK22N50L  区别

型号 IPW50R250CPFKSA1 AOK22N50L
唯样编号 A-IPW50R250CPFKSA1 A-AOK22N50L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 13A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 114W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 260mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 5W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1420pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 520uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 22A
系列 - AOK
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3710pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 250 毫欧 @ 7.8A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 83nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 500V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPW50R250CPFKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW50R250CP_N 通道 TO-247-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STW20NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 2,400 对比
STW20NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

¥10.989 

阶梯数 价格
5: ¥10.989
10: ¥9.152
176 对比
AOK22N50L AOS  数据手册 功率MOSFET

±30V 260mΩ@11A,10V -55°C~150°C(TJ) N-Channel 500V 22A TO-247 5W

暂无价格 0 对比
STW19NM50N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
STW20NK50Z STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

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