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IPP80R1K2P7XKSA1  与  AOT4S60  区别

型号 IPP80R1K2P7XKSA1 AOT4S60
唯样编号 A-IPP80R1K2P7XKSA1 A-AOT4S60
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 0.75
功率耗散(最大值) 37W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 1.8
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 500V -
栅极电压Vgs - 30V
Td(on)(ns) - 18
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 4A
Ciss(pF) - 263
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.2 欧姆 @ 1.7A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 177
Td(off)(ns) - 40
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 83W
Qrr(nC) - 1500
VGS(th) - 4.1
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 80uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 4.5A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 800V -
Coss(pF) - 21
Qg*(nC) - 6*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP80R1K2P7XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80R1K2P7_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AOT4S60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 600V 30V 4A 83W 900mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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