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IPP80N03S4L03AKSA1  与  PSMN3R4-30PL,127  区别

型号 IPP80N03S4L03AKSA1 PSMN3R4-30PL,127
唯样编号 A-IPP80N03S4L03AKSA1 A36-PSMN3R4-30PL,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 114W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 9750pF @ 25V -
输出电容 - 822pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 90uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 100A
输入电容 - 3907pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.7毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.4mΩ@10V,4.1mΩ@4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP80N03S4L03AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP80N03S4L-03_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP160N3LL STMicro  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 120A(Tc) ±20V 136W(Tc) 3.2mΩ@60A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3

¥4.312 

阶梯数 价格
20: ¥4.312
100: ¥3.454
284 对比
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R4-30PL_SOT78 N-Channel 114W 175℃ 1.7V 30V 100A

¥9.1236 

阶梯数 价格
20: ¥9.1236
50: ¥7.603
0 对比
PSMN3R4-30PL,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R4-30PL_SOT78 N-Channel 114W 175℃ 1.7V 30V 100A

暂无价格 0 对比
AOT210L AOS 功率MOSFET

20A(Ta),105A(Tc) N-Channel ±20V 2.9 mΩ @ 20A,10V TO-220 1.9W(Ta),176W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 40V 210A 3.6mΩ 20V 330W N-Channel

暂无价格 0 对比

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