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IPP65R190CFDXKSA2  与  IPP65R190CFD  区别

型号 IPP65R190CFDXKSA2 IPP65R190CFD
唯样编号 A-IPP65R190CFDXKSA2 A-IPP65R190CFD
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 151W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ
上升时间 - 8.4ns
Qg-栅极电荷 - 68nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1850pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 17.5A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 7.3A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
下降时间 - 6.4ns
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 151W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 700uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCFD2
25°C时电流-连续漏极(Id) 17.5A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP65R190CFDXKSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPP65R190CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP65R190CFDXKSA1_650V 17.5A 190mΩ 30V 151W N-Channel

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