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IPP60R190P6XKSA1  与  FCP165N60E  区别

型号 IPP60R190P6XKSA1 FCP165N60E
唯样编号 A-IPP60R190P6XKSA1 A-FCP165N60E
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 151W(Tc) -
功率 - 227W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165 毫欧 @ 11.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1750pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 630u -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 23A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 7.6A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.2A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2434pF @ 380V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 75nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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