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IPP60R190E6XKSA1  与  IPP60R190C6XKSA1  区别

型号 IPP60R190E6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1
唯样编号 A-IPP60R190E6XKSA1 A-IPP60R190C6XKSA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 151W(Tc) 151W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 100V 1400pF @ 100V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 630uA 3.5V @ 630uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 63nC @ 10V 63nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 9.5A,10V 190 毫欧 @ 9.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 20.2A(Tc) 20.2A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 10V
漏源电压(Vdss) 600V 600V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP60R190E6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R190E6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 12,000 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥7.073 

阶梯数 价格
8: ¥7.073
100: ¥5.654
109 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
AOT25S65L AOS  数据手册 功率MOSFET

25A(Tc) N-Channel ±30V 190 mΩ @ 12.5A,10V TO-220 357W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 650V

暂无价格 0 对比
IPP60R190C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R190C6_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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