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IPP60R180P7XKSA1  与  SCT2120AFC  区别

型号 IPP60R180P7XKSA1 SCT2120AFC
唯样编号 A-IPP60R180P7XKSA1 A-SCT2120AFC
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 SCT2120AFC - 650 V 120 mO 61 nC N-Channel SIC Power MosFet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 72W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 156mΩ@10A,18V
漏源极电压Vds - 650V
Pd-功率耗散(Max) - 165W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1081pF @ 400V -
栅极电压Vgs - +22V,-6V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 280uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 29A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 3.3mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 500V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 180 毫欧 @ 5.6A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 61nC @ 18V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 18A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 18V
漏源电压(Vdss) 650V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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