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IPP60R165CPXKSA1  与  FCPF20N60  区别

型号 IPP60R165CPXKSA1 FCPF20N60
唯样编号 A-IPP60R165CPXKSA1 A-FCPF20N60
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 N-Channel 600 V 0.19 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet TO-220F
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 192W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 190mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 39W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220F-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 790uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 52nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A
系列 - SuperFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3080pF @ 25V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 165 毫欧 @ 12A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 98nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 21A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP60R165CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R165CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

¥6.886 

阶梯数 价格
8: ¥6.886
100: ¥5.511
1,000: ¥5.28
6,085 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 900 对比
STP26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

600V ±30V 140W(Tc) 165mΩ@10A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 N-Channel 20A(Tc)

暂无价格 0 对比
STP24NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
FCPF20N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

20A(Tc) ±30V 39W(Tc) 190mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 20A TO-220F-3

暂无价格 0 对比

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