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IPP60R125CPXKSA1  与  STP26NM60N  区别

型号 IPP60R125CPXKSA1 STP26NM60N
唯样编号 A-IPP60R125CPXKSA1 A36-STP26NM60N
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 208W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 165mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 140W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2500pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 1.1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 70nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 125 毫欧 @ 16A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 650V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1800pF @ 50V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 10V
库存与单价
库存 0 109
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥7.073
100+ :  ¥5.654
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP60R125CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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8: ¥7.073
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