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IPP60R105CFD7  与  R6035VNX3C16  区别

型号 IPP60R105CFD7 R6035VNX3C16
唯样编号 A-IPP60R105CFD7 A-R6035VNX3C16
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 35A TO-220AB, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 105mΩ 0.095Ω@15V
Moisture Level NA -
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 347W
栅极电压Vgs 3.5V,4.5V ±30V
Special Features fast recovery diode -
FET类型 N-Channel N-Channel
Pin Count 3.0 Pins -
封装/外壳 TO-220 TO-220AB
Mounting THT -
连续漏极电流Id 21A 35A
工作温度 -55°C~150°C -
QG (typ @10V) 42.0 nC -
Ptot max 106.0 W -
IDpuls max 79.0 A -
Budgetary Price €€/1k 2.06 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP60R105CFD7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP60R105CFD7XKSA1_21A TO-220 -55°C~150°C N-Channel 600V 105mΩ 3.5V,4.5V

暂无价格 0 当前型号
R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel ±30V 600V 35A 0.095Ω@15V 347W

¥48.899 

阶梯数 价格
4: ¥48.899
10: ¥23.7548
30: ¥19.9794
50: ¥19.2223
80 对比
R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel ±30V 600V 35A 0.095Ω@15V 347W

暂无价格 20 对比
R6035VNX3C16 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB N-Channel ±30V 600V 35A 0.095Ω@15V 347W

暂无价格 0 对比

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