首页 > 商品目录 > > > > IPP600N25N3GXKSA1代替型号比较

IPP600N25N3GXKSA1  与  FDP51N25  区别

型号 IPP600N25N3GXKSA1 FDP51N25
唯样编号 A-IPP600N25N3GXKSA1 A-FDP51N25
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3 N-Channel 250 V 60 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
功率 - 320W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60 毫欧 @ 25.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2350pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 51A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3410pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 250V
Pd-功率耗散(Max) - 320W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 90uA -
系列 - UniFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3410pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 25A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 250V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 70nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP600N25N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP600N25N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP50NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 550 对比
STP50NF25 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
FDP51N25 ON Semiconductor 功率MOSFET

51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FDP51N25 ON Semiconductor 功率MOSFET

51A(Tc) ±30V 320W(Tc) 60m Ohms@25.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220AB N-Channel 250V 51A 60 毫欧 @ 25.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售