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IPP50R380CEXKSA1  与  IPP50R500CE  区别

型号 IPP50R380CEXKSA1 IPP50R500CE
唯样编号 A-IPP50R380CEXKSA1 A-IPP50R500CE
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 73W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 500mΩ
Qg-栅极电荷 - 18.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 584pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24.8nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 7.6A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 3.2A,13V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 13V -
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 57W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 260uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
FET功能 超级结 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 9.9A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 500V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP50R380CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R380CE_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPP50R399CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R399CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
IPP50R500CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R500CEXKSA1_500V 7.6A 500mΩ 20V 57W N-Channel

暂无价格 0 对比

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