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IPP50R280CEXKSA1  与  FDP20N50F  区别

型号 IPP50R280CEXKSA1 FDP20N50F
唯样编号 A-IPP50R280CEXKSA1 A3-FDP20N50F
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 92W(Tc) -
功率 - 250W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 260 毫欧 @ 10A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 773pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±30V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32.6nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 20A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 4.2A,13V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 13V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3390pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 250W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 350uA -
系列 - UniFET™
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3390pF @ 25V
FET功能 超级结 -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 13A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 500V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 65nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP50R280CEXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R280CE_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
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