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IPP50R140CPXKSA1  与  AOT29S50L  区别

型号 IPP50R140CPXKSA1 AOT29S50L
唯样编号 A-IPP50R140CPXKSA1 A-AOT29S50L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 550V 23A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 2.5
功率耗散(最大值) 192W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 9.2
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2540pF @ 100V -
栅极电压Vgs - 30V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 64nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 29A
Ciss(pF) - 1312
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 140 毫欧 @ 14A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 387
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 500V
Pd-功率耗散(Max) - 357W
Qrr(nC) - 7.3
VGS(th) - 3.9
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 930uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 23A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 550V -
Coss(pF) - 88
Qg*(nC) - 26.6
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP50R140CPXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R140CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IPP50R140CPHKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R140CP_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AOT29S50L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 500V 30V 29A 357W 150mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IPP50R140CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R140CPHKSA1_500V 23A 130mΩ 20V 192W -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
IPP50R250CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP50R250CPHKSA1_250mΩ 500V 13A TO-220 -55.0°C N-Channel 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比

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