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IPP180N10N3GXKSA1  与  IRF8010PBF  区别

型号 IPP180N10N3GXKSA1 IRF8010PBF
唯样编号 A-IPP180N10N3GXKSA1 A33-IRF8010PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3 Single N-Channel 100 V 260 W 81 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 15mΩ@45A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 80A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 18 毫欧 @ 33A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3830pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 260W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 33uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3830pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 43A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 120nC @ 10V
库存与单价
库存 0 277
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥9.7741
50+ :  ¥9.4866
100+ :  ¥9.1992
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