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IPP075N15N3G  与  SUP80090E-GE3  区别

型号 IPP075N15N3G SUP80090E-GE3
唯样编号 A-IPP075N15N3G A-SUP80090E-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 9.4m Ohms@30A,10V
漏源极电压Vds - 150V
Pd-功率耗散(Max) - 375W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-220-3
连续漏极电流Id - 128A
工作温度 - -55°C~175°C(TJ)
系列 - ThunderFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3425pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 95nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 7.5V,10V
库存与单价
库存 0 5
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP075N15N3G Infineon  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 当前型号
SUP80090E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A

暂无价格 5 对比
SUP80090E-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 128A(Tc) ±20V 375W(Tc) 9.4m Ohms@30A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220-3 150V 128A

暂无价格 0 对比
SUP85N15-21-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

85A(Tc) N-Channel 21 mOhms @ 30A,10V 2.4W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 150V

暂无价格 0 对比
SUP85N15-21-E3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

85A(Tc) N-Channel 21 mOhms @ 30A,10V 2.4W(Ta),300W(Tc) TO-220-3 -55°C~175°C 150V

暂无价格 0 对比

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