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IPP062NE7N3GXKSA1  与  AUIRF3808  区别

型号 IPP062NE7N3GXKSA1 AUIRF3808
唯样编号 A-IPP062NE7N3GXKSA1 A-AUIRF3808
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3808, 140 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
宽度 - 4.82mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3840pF @ 37.5V -
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 140A
长度 - 10.66mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 6.2 毫欧 @ 73A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
高度 - 16.51mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 68 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 330W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 70uA -
系列 - HEXFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
典型接通延迟时间 - 16 ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP062NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP062NE7N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60PS_SOT78 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

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阶梯数 价格
20: ¥8.6807
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IRFB7740PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

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AUIRF3808 Infineon  数据手册 功率MOSFET

140A 7mΩ 330W -55°C~175°C 车规

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AOT460_001 AOS 功率MOSFET

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85A(Tc) N-Channel ±20V 7.5 mΩ @ 30A,10V TO-220 268W(Tc) -55°C ~ 175°C(TJ) 60V

暂无价格 0 对比

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