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IPP05CN10NGXKSA1  与  PSMN5R6-100PS,127  区别

型号 IPP05CN10NGXKSA1 PSMN5R6-100PS,127
唯样编号 A-IPP05CN10NGXKSA1 A-PSMN5R6-100PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 306W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 12000pF @ 50V -
输出电容 - 561pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 181nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 100A
输入电容 - 8061pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 100V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.6mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP05CN10N G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 3,000 对比
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 100V 20V 105A 300W 4.5mΩ@10V

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥8.349 

阶梯数 价格
6: ¥8.349
75 对比
STP150N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN5R6-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 100V 100A

暂无价格 0 对比

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