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IPP055N03LGXKSA1  与  AUIRL2203N  区别

型号 IPP055N03LGXKSA1 AUIRL2203N
唯样编号 A-IPP055N03LGXKSA1 A-AUIRL2203N
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL2203N, 75 A, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 68W(Tc) -
宽度 - 4.83mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7mΩ
产品特性 - 车规
引脚数目 - 3
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3200pF @ 15V -
封装/外壳 TO-220-3 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 75A,116A
长度 - 10.67mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.5 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3290pF @ 25V
高度 - 9.02mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 23 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 130W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
系列 - HEXFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 50A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 11 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 60nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP055N03LGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP055N03L G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
AUIRL2203N Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 75A,116A 7mΩ 130W 车规

暂无价格 0 对比

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