首页 > 商品目录 > > > > IPP052N08N5AKSA1代替型号比较

IPP052N08N5AKSA1  与  AOT480L  区别

型号 IPP052N08N5AKSA1 AOT480L
唯样编号 A-IPP052N08N5AKSA1 A-AOT480L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 310
功率耗散(最大值) 125W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 5.5mΩ
Qgd(nC) - 38
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3770pF @ 40V -
栅极电压Vgs - 25V
Td(on)(ns) - 31.5
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 53nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 180A
Ciss(pF) - 6520
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 28
Td(off)(ns) - 46
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 80V
Pd-功率耗散(Max) - 333W
Qrr(nC) - 132
VGS(th) - 4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 66uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 80V -
Coss(pF) - 810
Qg*(nC) - 116*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP052N08N5AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP052N08N5_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
AOT284L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥11.4286 

阶梯数 价格
1: ¥11.4286
100: ¥8.2353
500: ¥7.0886
1,000: ¥5.6
196 对比
STP180N10F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT480L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
STP180N10F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
AOT480L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售