首页 > 商品目录 > > > > IPP052N06L3GXKSA1代替型号比较

IPP052N06L3GXKSA1  与  PSMN005-75P,127  区别

型号 IPP052N06L3GXKSA1 PSMN005-75P,127
唯样编号 A-IPP052N06L3GXKSA1 A-PSMN005-75P,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 115W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8400pF @ 30V -
输出电容 - 920pF
栅极电压Vgs - 3V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 58uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 50nC @ 4.5V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 75A
输入电容 - 8250pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥14.0254
50+ :  ¥11.4962
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP052N06L3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP052N06L3 G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
BUK954R8-60E,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK954R8-60E_SOT78

¥12.3751 

阶梯数 价格
20: ¥12.3751
50: ¥10.1435
0 对比
PSMN005-75P,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN005-75P_SOT78

¥14.0254 

阶梯数 价格
20: ¥14.0254
50: ¥11.4962
0 对比
PSMN4R2-60PLQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R2-60PL_SOT78

¥12.29 

阶梯数 价格
20: ¥12.29
50: ¥10.0738
0 对比
PSMN4R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R6-60PS_SOT78

¥11.1096 

阶梯数 价格
20: ¥11.1096
50: ¥9.1062
0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售