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IPP048N04NGXKSA1  与  TK3R1E04PL,S1X  区别

型号 IPP048N04NGXKSA1 TK3R1E04PL,S1X
唯样编号 A-IPP048N04NGXKSA1 A-TK3R1E04PL,S1X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 MOSFET N-CH 40V 100A TO220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 79W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 40 V
Pd-功率耗散(Max) - 87W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.8 毫欧 @ 30A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3300pF @ 25V 4670 pF @ 20 V
Vgs(th) - 2.4V @ 500uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 63.4 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 200uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 41nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.8 毫欧 @ 70A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 70A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP048N04NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP048N04N G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RX1G08CGNC10 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220AB N-Channel 78W 5.9mΩ@40A,4.5V -55°C~150℃ ±20V 40V 80A

¥4.7338 

阶梯数 价格
40: ¥4.7338
50: ¥4.6475
100: ¥4.5517
500: ¥4.5325
593 对比
RX1G08CGNC10 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220AB N-Channel 78W 5.9mΩ@40A,4.5V -55°C~150℃ ±20V 40V 80A

暂无价格 50 对比
AOT1404L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220 N-Channel 40V 20V 220A 417W 4.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
TK3R1E04PL,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 87W(Tc) TO-220 175°C(TJ) 40 V 100A(Tc)

暂无价格 0 对比
AUIRF1404 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 202A 4mΩ 333W 车规

暂无价格 0 对比

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