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IPP039N10N5AKSA1  与  AOT292L  区别

型号 IPP039N10N5AKSA1 AOT292L
唯样编号 A-IPP039N10N5AKSA1 A-AOT292L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 32
功率耗散(最大值) 188W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 5.3mΩ
Qgd(nC) - 13.5
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7000pF @ 50V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 105A
Ciss(pF) - 6775
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.9 毫欧 @ 50A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 50
Td(off)(ns) - 48
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 300W
Qrr(nC) - 380
VGS(th) - 3.4
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 125uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 100V -
Coss(pF) - 557
Qg*(nC) - 90*
库存与单价
库存 0 1,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥12.2449
100+ :  ¥8.8235
500+ :  ¥7.5949
1,000+ :  ¥6
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP039N10N5AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP039N10N5_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
AOT292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

¥12.2449 

阶梯数 价格
1: ¥12.2449
100: ¥8.8235
500: ¥7.5949
1,000: ¥6
1,000 对比
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20: ¥17.7614
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PSMN5R0-80PS_SOT78

¥13.3875 

阶梯数 价格
20: ¥13.3875
50: ¥10.9734
0 对比

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