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IPP034NE7N3GXKSA1  与  PSMN3R3-60PLQ  区别

型号 IPP034NE7N3GXKSA1 PSMN3R3-60PLQ
唯样编号 A-IPP034NE7N3GXKSA1 A36-PSMN3R3-60PLQ
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 214W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 293W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 8130pF @ 37.5V -
输出电容 - 822pF
栅极电压Vgs - 1.7V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 155uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 117nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id - 130A
输入电容 - 10115pF
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.4 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 3.8mΩ@4.5V,3.4mΩ@10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP034NE7N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
IRFB7734PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 290W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3.5mΩ@100A,10V N-Channel 75V 183A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP032N06N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP032N06N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 对比
PSMN3R3-60PLQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R3-60PL_SOT78 N-Channel 293W 175℃ 1.7V 60V 130A

¥14.149 

阶梯数 价格
20: ¥14.149
50: ¥11.7908
0 对比
PSMN3R3-60PLQ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R3-60PL_SOT78 N-Channel 293W 175℃ 1.7V 60V 130A

暂无价格 0 对比
IPP032N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP032N06N3GXKSA1_188W 3.2mΩ 60V 120A TO-220 N-Channel 2V,4V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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