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IPP030N10N3GXKSA1  与  TK100E10N1,S1X  区别

型号 IPP030N10N3GXKSA1 TK100E10N1,S1X
唯样编号 A-IPP030N10N3GXKSA1 A-TK100E10N1,S1X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 MOSFET N-CH 100V 100A TO220
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 100 V
Pd-功率耗散(Max) - 255W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 3.4 毫欧 @ 50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14800pF @ 50V 8800 pF @ 50 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 140 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 275uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 100A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 100V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP030N10N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP030N10N3 G_N 通道 TO-220-3 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
PSMN3R5-80PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R5-80PS_SOT78 N-Channel 338W 175℃ 3V 80V 120A

¥19.1558 

阶梯数 价格
20: ¥19.1558
50: ¥15.9632
0 对比
TK100E10N1,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 255W(Tc) TO-220 150°C(TJ) 100 V 100A(Ta)

暂无价格 0 对比

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