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IPP023NE7N3GXKSA1  与  IRFB3307ZPBF  区别

型号 IPP023NE7N3GXKSA1 IRFB3307ZPBF
唯样编号 A-IPP023NE7N3GXKSA1 A3-IRFB3307ZPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 300W(Tc) -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ
Qg-栅极电荷 - 79nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 14400pF @ 37.5V -
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 10V
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 206nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 120A
配置 - Single
长度 - 10mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.3 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF
高度 - 15.65mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 230W
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.8V @ 273uA -
系列 - HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 50V
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4750pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP023NE7N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
IRFB3307ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

¥6.556 

阶梯数 价格
8: ¥6.556
33 对比
STP160N75F3 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
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TO-220-3

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