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IPP020N06NAKSA1  与  TK100E06N1,S1X  区别

型号 IPP020N06NAKSA1 TK100E06N1,S1X
唯样编号 A-IPP020N06NAKSA1 A-TK100E06N1,S1X
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3 MOSFET N CH 60V 100A TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta),214W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 255W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7800pF @ 30V 10500 pF @ 30 V
Vgs(th) - 4V @ 1mA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 140 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 143uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 106nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 29A(Ta),120A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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