首页 > 商品目录 > > > > IPP020N06NAKSA1代替型号比较

IPP020N06NAKSA1  与  AOT270AL  区别

型号 IPP020N06NAKSA1 AOT270AL
唯样编号 A-IPP020N06NAKSA1 A-AOT270AL
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 97
功率耗散(最大值) 3W(Ta),214W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 2.6mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 3.2mΩ
Qgd(nC) - 30
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 7800pF @ 30V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 30
封装/外壳 TO-220-3 TO-220
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 106nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 140A
Ciss(pF) - 10830
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 毫欧 @ 100A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 6V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 53
Td(off)(ns) - 66
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 75V
Pd-功率耗散(Max) - 500W
Qrr(nC) - 438
VGS(th) - 3.3
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 143uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 29A(Ta),120A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
Coss(pF) - 1520
Qg*(nC) - 147*
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPP020N06NAKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP020N06N_TO-220-3

暂无价格 0 当前型号
PSMN2R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN2R0-60PS_SOT78

¥17.8837 

阶梯数 价格
20: ¥17.8837
50: ¥14.6588
250 对比
TK100E06N1,S1X Toshiba  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
AOT270AL AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售