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IPD90N04S4L04ATMA1  与  DMTH4005SK3Q-13  区别

型号 IPD90N04S4L04ATMA1 DMTH4005SK3Q-13
唯样编号 A-IPD90N04S4L04ATMA1 A-DMTH4005SK3Q-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 MOSFET N-CH 40V 95A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 40V
Pd-功率耗散(Max) - 2.1W(Ta),100W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.5mΩ@50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4690pF @ 25V 3062 pF @ 20 V
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 49.1 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 35uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id - 95A(Tc)
驱动电压 - 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S4L-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
DMTH4005SK3Q-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

TO-252-3

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