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IPD90N04S4L04ATMA1  与  AUIRFR8403  区别

型号 IPD90N04S4L04ATMA1 AUIRFR8403
唯样编号 A-IPD90N04S4L04ATMA1 A-AUIRFR8403
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8403, 100 A, 127 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 71W(Tc) -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1mΩ
引脚数目 - 3
最小栅阈值电压 - 2.2V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 4690pF @ 25V -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A,127A
长度 - 6.73mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.8 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) +20V,-16V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.9V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3171pF @ 25V
高度 - 2.39mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 31 ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 99W
晶体管配置 -
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 35uA -
系列 - COOLiRFET
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 40V -
典型接通延迟时间 - 10 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 99nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S4L-04_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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