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IPD90N04S402ATMA1  与  TK100S04N1L,LQ  区别

型号 IPD90N04S402ATMA1 TK100S04N1L,LQ
唯样编号 A-IPD90N04S402ATMA1 A-TK100S04N1L,LQ
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 150W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 40 V
Pd-功率耗散(Max) - 100W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.3 毫欧 @ 50A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 9430pF @ 25V 5490 pF @ 10 V
Vgs(th) - 2.5V @ 500uA
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 76 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK+
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 95uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 118nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 100A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2.4 毫欧 @ 90A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 40V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD90N04S402ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD90N04S4-02_N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 175°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
TK100S04N1L,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 100W(Tc) DPAK+ 175°C(TJ) 40 V 100A(Ta)

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AUIRFR8405TRL Infineon  数据手册 功率MOSFET

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暂无价格 0 对比
AUIRFR8405 Infineon  数据手册 功率MOSFET

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