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IPD80R4K5P7  与  R8002KND3TL1  区别

型号 IPD80R4K5P7 R8002KND3TL1
唯样编号 A-IPD80R4K5P7 A33-R8002KND3TL1-0
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 4500mΩ -
Rth 9.4K/W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 140 pF @ 100 V
RthJA max 62.0K/W -
栅极电压Vgs 2.5V,3.5V -
封装/外壳 DPAK (TO-252) TO-252
连续漏极电流Id 1.5A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 7.5 nC @ 10 V
Ptot max 13.0W -
QG 4.0nC -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
Budgetary Price €€/1k 0.23 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
Moisture Level 1 Ohms -
漏源极电压Vds 800V -
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd 1.8nC -
Pin Count 3.0Pins -
Mounting SMT -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 4.5V @ 150uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 1.6A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 800 V
库存与单价
库存 0 2,070
工厂交货期 56 - 70天 21 - 28天
单价(含税) 暂无价格
20+ :  ¥10.8377
50+ :  ¥6.2957
100+ :  ¥5.7303
300+ :  ¥5.3566
500+ :  ¥5.28
1,000+ :  ¥5.2225
2,000+ :  ¥5.1937
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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暂无价格 0 当前型号
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N-Channel 150°C(TJ) TO-252

¥10.8377 

阶梯数 价格
20: ¥10.8377
50: ¥6.2957
100: ¥5.7303
300: ¥5.3566
500: ¥5.28
1,000: ¥5.2225
2,000: ¥5.1937
2,070 对比

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