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IPD80R450P7ATMA1  与  STD10N60DM2  区别

型号 IPD80R450P7ATMA1 STD10N60DM2
唯样编号 A-IPD80R450P7ATMA1 A-STD10N60DM2
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Infineon CoolMOS P7 系列 N沟道 MOSFET IPD80R450P7ATMA1, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装 MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 TO-252 TO-252-3
连续漏极电流Id 11A(Tc) -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 450mΩ@4.5A,10V -
漏源极电压Vds 800V -
Pd-功率耗散(Max) 73W(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 220µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 500V -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD80R450P7ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 800V 11A(Tc) ±20V 73W(Tc) 450mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252

暂无价格 20 当前型号
STD10N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

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STD10N60DM2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

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